Помимо разговоров о новом 32-нм технологическом процессе, Intel сделала еще одно интересное заявление о начале активной фазы подготовки 22-нм техпроцесса в 2010-м году и введение его в строй уже в 2011-м году. Также стали известны особенности технологии 32 нм, по которой создаются микросхемы с применением тех же материалов, наработок и инструментов, что и при 45 нм, поэтому освоение новых норм произошло столь стремительно. Но даже незначительные изменения в технологии привели к отличным результатам: производительность транзисторов повышена на 22 процента, а обновленные технологии полупроводников позволили снизить утечки токов, что в свою очередь привело к снижению общего энергопотребления интегральной микросхемы. О том, насколько серьезно относится компания Intel к внедрению нового техпроцесса в производство, говорит информация аналитиков о грядущих инвестициях ведущего мирового чипмейкера в развитие производственных мощностей. Согласно последним данным, в течение ближайших двух лет, даже несмотря на мировой экономический спад, Intel потратит на расширение производственной базы около 7 миллиардов долларов. Вся сумма будет инвестирована только в те фабрики, которые будут выпускать именно 32-нм интегральные микросхемы. Всего планируется модернизировать четыре фабрики, находящиеся на территории США. Этот факт говорит о том, что переход на выпуск новейших полупроводниковых устройств займет немного времени, и за их счет будет значительно расширен ассортимент продукции Intel, а существующие модели с выходом первых 32-нм процессоров должны стать более доступными для потребителя.
Увы, но это последний на сегодня позитивный момент у компании. Как мы уже отметили, ситуация в мировой экономике заставила многих игроков в бизнесе переносить или отменять выход на рынок новых продуктов. Так, Intel сообщила о том, что откладывает выпуск процессоров Havendale (Core i5) для настольных компьютеров и процессоров Auburndale для мобильных систем на 2010-й год. Два последних решения должны были изготавливаться по 45-нм технологическому процессу, поддерживать процессорный разъем LGA 1156, оснащаться кэш-памятью второго уровня объемом 256 кб на ядро и разделяемой кэш-памятью третьего уровня объемом 4 Мб. Главной же их особенностью должно было стать наличие интегрированного контроллера памяти стандарта DDR3, контроллера шины PCI Express версии 2.0, интегрированного графического ядра. Кроме того они позиционировались как более доступные решения для потребителя, чем процессоры Core i7 микроархитектуры Nehalem.
